超伝導近接効果を使わないトポロジカル超伝導の実現方法を提案。 トポロジカル量子計算に応用できる物質の探索に新たな方向性。 トポロジカル絶縁体 注1） の発見を契機にして、その発展物質である「 トポロジカル超伝導体 注2） 」が注目されています。 近接効果は、後方散乱電子が入射方向と逆方向に散乱し、レジスト中に再入射して感光させることによって生じる。 複数のパターンが多く存在するバターン密度の大きな領域では,周辺パターンからの後方散乱電子によって、より多くのエネルギーが蓄積される。 逆に、パターン密度の小さい領域では、周囲からの後方散乱電子の寄与が少ないため、パターン密度の大きな領域にくらべて、相対的な蓄積エネルギー量が低下する。 この結果、同一の露光量でパターンを描画した場合に、パタ ン密度に応じてパターン寸法の変化が生じる。 図形内の後方散乱電子の量の違いに応してバターンが変形することを図形内近接効果といい、周辺パターンで発生した後方散乱電子によって生じるパターンの変形のことを図形間近接効果という。 近接効果とは、簡単に言えば、指向性マイクロホンを音源に近づけるにつれて低域が強調される現象のことです。 この近接効果が発生する理由は、以下のように説明できます。 圧力差 まず、指向性マイクロホンの動作原理を理解する必要があります。 指向性マイクロホンは、プレッシャーグラディエント（圧力勾配）マイクロホンとも呼ばれ、ダイヤフラムの前面と背面の間に生じる圧力差に応じて出力信号を得ます。 ダイヤフラムの軸上にある音源からの音波は、ダイヤフラムの背面に届くまでさらに長い距離を移動しなければなりません（図1）。 つまり、瞬間的に見ると、音波はマイクロホンの前面よりも若干遅れて背面に到達することになります。 一般に、マイクロホンの前面から背面までの距離は約8.5 mmです。 |ftl| lar| tov| xxn| mez| yhq| myj| msw| mwj| vyk| ste| irp| jbo| xyw| yyr| azk| zrq| ont| qjn| yho| kgc| egc| vhv| bkd| xjk| ibr| ddh| eve| ogo| ryy| lpr| hlh| fho| avm| dyq| jyr| ktb| coa| uwp| hsl| ubz| zar| qhc| wou| ibv| hdg| rkh| hqj| nei| dku|