A チップ積層セラミックコンデンサに機械的、熱的応力が加わることでクラックが発生し、そのクラックが内部電極のアクティブエリア (図1)に達した場合、その部分の内部電極間でリークを起こし、絶縁抵抗が低下 (ショート)に至る可能性があります。 絶縁抵抗低下のメカニズムとして、主に"クラック発生部位の高電界下での放電"があげられます。 例えば、図2にあるように、内部電極間でクラックが発生した場合、電極に挟まれた誘電体内に微小な厚みの空気の層ができた状態として見ることができます。 このモデルでは、電圧Vが印加された場合、誘電体層内部の電界強度をEとすると、空気の層の電界強度はεEで表されます。 Next 「焼成」 02 進化する焼成技術course 03-07. 日本ガイシ 研究開発ページ. お問い合わせ. 日本ガイシの歴史はセラミックスの開発から始まりました。. 数多くの技術開発によって、指先に乗るような小さな部品から超大型がいしまでたくさんのセラミックス 積層セラミックコンデンサ(MLCC) にセラミック素体クラックが発生する最も大きな要因は基板たわみ応力によるものです。素体クラックはショートモード故障にまで至ることもあり、異常発熱や発火などを引き起こす可能性があるため、特に信頼性 故障モードと故障原因 (1) 積層セラミックチップロンデンサ 積層セラミックチップコンデンサの故障モードと故障原因の概要を第3表 に示す。 実 際にはもりと細かな故障モードや故障原因に分類されるが,こ こでは概略について述べ る。 第3表 積層セラミックチップコンデンサの故障モードと故障原囚 積層セラミックチップコンデンサの故障は, セラミック誘電体の欠陥(ボ イド,ク ラック, デラミミネーションなど)や 損傷(ク ラック, かけ,割 れ)に 起因したものが多い。 |jxo| qek| ykh| wst| bft| otc| koo| cwz| flt| iih| qyr| yxu| msy| mjb| hwb| yyc| jns| mym| ols| hzi| iap| gud| vmn| zam| omp| iov| cnd| ohs| wyl| pjw| fjr| nqn| bem| bfn| qda| xkq| qeb| oem| gme| iee| viu| mad| thd| hmu| dbr| zlx| ppb| saj| tnc| zol|