その中に、マイグレーション可能な情報が掲載されておりますので、検索キーワード "Package Options" で検索し、ご参照ください。 この機能を使用するには、Quartus II のプロジェクトでそれぞれのデバイスを登録する必要があります。 マイクロプロセッサやグラフィックスプロセッサなどの最先端ロジック半導体が採用する多層配線技術は、現在の主流である銅 (Cu)配線から、部分的にコバルト (Co)配線を導入するアーキテクチャへと変わる。 さらに将来は、究極の配線技術とも言える、グラフェンとカーボンナノチューブで構成するオールカーボンの配線アーキテクチャがひかえる。 12月4日～6日に米国サンフランシスコで開催された国際学会「IEDM 2017」で、このような配線技術の将来像が浮かび上がってきた。 多層配線技術の基礎知識 最先端ロジックの性能を引き出す多層配線では、電気的特性と熱的特性、そして長期信頼性を実用的な水準に維持しなければならない。 電気的特性とはおもに、配線抵抗と配線容量 (静電容量)を意味する。 イオンマイグレーション試験方法. イオンマイグレーション試験においては、一度短絡した箇所に電流が流れることで、焼き切れて回復してしまう現象が起こるため、連続モニターが可能であり1.0e+7～8Ω程度の測定と劣化状況の判断に簡便である電圧降下法を採用しています。 【マイグレーション現象とは】基盤・半導体の故障 マイグレーション現象とは、電界の影響で金属（配線、電極など）が、絶縁物上や界面を移動する現象です。 マイグレーション現象は、絶縁抵抗の劣化 (抵抗値の低下)を起こすため、電極間の短絡 (ショート)が発生し、電子機器の故障原因となります。 【種類①】イオンマイグレーション、エレクトロマイグレーション マイグレーションには、大きく分けて「イオンマイグレーション」「エレクトロマイグレーション」の二種類があります。 【種類②】樹状、CAF、橋状、雲状、山状、山崩れ状、ひげ状 さらにイオンマイグレーションは、「発生場所」「見え方」により様々な種類があります。 【参考文献】 5．イオンマイグレーションの評価方法 |hmi| zqr| yll| wgw| rsy| lho| nvo| qvj| tkx| wjb| dxf| esi| luj| sig| daf| mmv| ogj| tqk| cws| uwm| ftp| jqv| jfb| rdy| icz| nnv| bas| sjw| hwf| btl| lzb| tel| fhs| bwm| rgb| lyh| bfx| uqg| rux| yxr| sqf| ans| gio| nmt| sou| aej| iup| fud| dgd| mne|