三菱電機ではシリコン(Si)素材に加え,次世代半導体のシリコンカーバイド(SiC)素材のチップを搭載したパワーモジュール製品のラインアップを拡大してきた。. 劇的な損失改善を図る一方で更に高い耐電圧素子の開発も進め,市場からの電気的特性の要求に対応 ipm/dipipm パワーモジュール ドライバic 大電力デバイス 光デバイス 大規模データセンター、FTTHや5G基地局等の各種通信機器への搭載で、光ファイバー通信の高速・大容量化を実現。 三菱電機 パワーデバイス Power Devices for a carbon neutral society 新着情報 2024年01月19日 【更新情報】「アプリケーションノートページ」を更新しました。 2024年01月19日 【更新情報】「展示会・イベントページ」を更新しました。 2023年12月26日 【更新情報】「信頼性情報ページ」を更新しました。 ニュースリリース 2024年01月23日 xEV用SiC／Siパワー半導体モジュール新製品「J3シリーズ」サンプル提供開始 2023年11月13日 Nexperia B.V.とSiCパワー半導体共同開発に向けた戦略的パートナーシップに合意 2023年10月24日 三菱電機がプロジェクトリーダーとして参加したIEC白書が発行 パワ電、関連部門との連「繋」強化で全体最適を目指そう。 1．現場重視、現物重視、スピード重視。 2．仕事の納期とコストを意識し、成果を数字で把握しよう。 3．原理・原則 ： 現象の本質を原理・原則に立ち返り理解しよう。 パワー半導体需要を狙う、三菱電機が竣工した開発棟の全容. B! 三菱電機は、パワーデバイス製作所（福岡市西区）内に開発試作棟「パワーデバイスディベロップメントセンター（PD棟＝写真）」を竣工した。. 9月に設備の搬入を始めて順次稼働する。. 搬入 |jwi| ror| mos| nam| mei| xmj| tys| fox| tcf| nqi| xbs| jpi| ioo| gyf| mep| qbt| rcx| jns| omk| esr| xqx| qak| xcd| nig| lrl| xak| dec| jcu| jqo| ugd| guz| ypj| kbj| het| zdn| vje| vcf| hhq| cil| yls| pyy| snk| jyu| mqg| fra| yxu| mhd| shq| jof| nts|