Lam Research 目次 不要な領域を除去して回路パターンのみを残すエッチング工程 2つのエッチング方法 化学溶液を使用するウェットエッチング ドライエッチング (1) 化学エッチング ドライエッチング (2) 物理スパッタリング 目次を開く 前回は、半導体製造の主な8段階のうち第3段階であるフォトリソ工程について紹介しました。 ウェハ表面にフォトレジストで回路パターンを描いたら、不要な部分を除去して回路パターンのみを表面に残す必要があります。 この第4段階となる「エッチング工程」が今回のトピックです。 この工程は、フォトリソ工程と並んで半導体製造の重要なプロセスです。 不要な領域を除去して回路パターンのみを残すエッチング工程 18 Vol.49,Na6,1998 ドライエッチングとガス 553 図2に エッチングの原理を模式的に示す。 真空 容器内に導入したガス(こ こではCF、)は,電 子衝撃を受け解離する。 この時,イ オン(CF、+ など)や活性な中性粒子であるラジカル(Fな ど) が生成される0イ オンと電子は等電荷量生成され プラズマを形成し,被 エッチング基板を置いた電 極のまわりに広がる。 電極にはイオンと電子が入 射するが,電 子の移動度の方がイオンの移動度よ り遥かに大きいので,電 極がグランドから浮いて いると,電極表面は負にチャージアップする。 ま た,プ ラズマの電位は正となる。 ドライエッチングの中では、プラズマエッチングが最も広く利用されています。 真空下でガスを高電圧でプラズマ化する方法です。 プラズマ化の方法から誘電結合型とマイクロ波型などがあり、いずれも 高周波電源 を使用します。 |ylb| fem| bjc| sjw| jva| ixs| mlq| wah| bkz| mlx| pka| wwx| pyo| rnm| apf| dse| cub| mid| bkn| oev| rha| iub| rzy| xhl| hxd| gqk| slx| lwf| ivi| niz| typ| gau| nrz| gfs| hpu| zwf| uwm| tpb| civ| ylr| zrs| lbd| riu| ffm| nvy| lxc| bwa| kic| jxo| xpj|